অর্ধপরিবাহিতে গরিষ্ঠ আধান-বাহক কোনটি?
A. n টাইপে হোল ও p টাইপে ইলেকট্রন
B. n টাইপে ইলেকট্রন p টাইপে হোল
C. n টাইপ ও p টাইপে উভয়েই ইলেকট্রন
D. n টাইপে ও p টাইপে উভয়ই হল
JUUnit-ASet-4পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)JU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
n টাইপে ইলেকট্রন p টাইপে হোল
Explanation: প্রশ্ন বিশ্লেষণ: অর্ধপরিবাহিতে গরিষ্ঠ আধান-বাহক কোনটি, এই প্রশ্নে দুটি ধরনের আধান-বাহক নির্বাচন করা হয়েছে। অপশন বিশ???লেষণ: A. n টাইপে হোল ও p টাইপে ইলেকট্রন: ভুল, এটি সঠিক নয়। B. n টাইপে ইলেকট্রন p টাইপে হোল: সঠিক, এটি অর্ধপরিবাহী পদার্থে আধান-বাহক হিসেবে সঠিক। C. n টাইপ ও p টাইপে উভয়েই ইলেকট্রন: ভুল, এটি সঠিক নয়। D. n টাইপে ও p টাইপে উভয়ই হল: ভুল, এটি সঠিক নয়। নোট: অর্ধপরিবাহিতে n টাইপে ইলেকট্রন এবং p টাইপে হোল আধান-বাহক হিসেবে কাজ করে।
Related Questions (Any University/Year)
- একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1V ইভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়। এর রোধ কত?
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কোন মৌলকে ডোপিং এ ব্যবহার করা হয়?
- Forward bias এ PN জাংশনের ডিপ্লেশন স্তর-
- অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড তৈরি করার জন্য প্রয়োজন-
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর-
- ডায়োড ব্যবহৃত হয়?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রিশন স্তর সৃষ্টির কারণ হল-
- আউটপুট ভোল্টেজ নিচের কোনটি?
- n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরি করতে কোন ধরনের অপদ্রব্যের প্রয়োজন?
- বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সঙ্গে কোন অপদ্রব্য মেশালে p-টাইপ অর্ধপরিবাহী উৎপন্ন হবে?
- n-p-n ট্রানজিস্টরের p-n জংশনে তড়িৎ প্রবাহ 400mA থেকে 410 mA পর্যন্ত এবং বিভব পার্থক্য 2 V থেকে 2.55 V পর্যন্ত বৃদ্ধি পায়। একে সাধারণ নিঃসারক জাংশনে 45 Ω লোড রোধের সাথে যুক্ত করলে প্রবাহ লাভ হয় 80। বর্তনীর ভোল্টেজ লাভ 100% হবে কী না? গাণিতিকভাবে দেখাও
- ফরোয়ার্ড বায়াস প্রয়োগের ফলে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহের মান নিম্নের কোন মাত্রার হয়?
- p ধরন অর্ধপরিবাহীর(semiconductor) সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক হলো-
- কক্ষ তাপমাত্রায় সহজাত্য বা ইন্ট্রিনজিক অর্ধপরিবাহীতে বিদ্যুৎ পরিবহনের জন্য থাকবে-
- P-টাইপ অর্ধ-পরিবাহীতে ঋণাত্মক আধান বাহক থাকার কারণ ব্যাখ্যা কর।
- একটি p -টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরী করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল —
- P - n জাংশন ডায়োডের ডিপ্লেশন লেয়ার চার্জ নিরপেক্ষ কেন? ব্যাখ্যা করো।
- একটি p-n জংশনের মধ্যে 200mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়। ইহার রোধ কত?
- . কোনটি মিথ্যা?ডায়োডের ক্ষেত্রে বিনাশী ভোল্টেজের পর তড়িৎ প্রবাহের মান সম্মুখ ঝোঁকে নী (Knee) ভোল্টেজের পর থেকে প্রাপ্ত তড়িৎ প্রবাহ থেকে বেশি নাট্রায়োডের দুটি টার্মিনাল থাকে+ve charge carrier এর জন্য প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহ-ve charge carrier জন্য প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহ থেকে কম নানিচের কোনটি সঠিক?
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?