"Knee Voltage" এর মান 0.7V বলতে কী বুঝ?
A.
B.
C.
D.
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- পূর্ণতরঙ্গ ব্রিজ রেকটিফায়ারে চারটি ডায়োড ব্যবহার করা হয় কেন? ব্যাখ্যা কর।
- n- টাইপ অর্ধপরিবাহীতে গরিষ্ঠ বাহক (majority charge carrier) কোনটি ?
- জার্মেনিয়াম এর সাথে নিচের কোন মৌলটি যুক্ত করলে N -type অর্ধপরিবাহী তৈরি হবে?
- . কোনটি মিথ্যা?ডায়োডের ক্ষেত্রে বিনাশী ভোল্টেজের পর তড়িৎ প্রবাহের মান সম্মুখ ঝোঁকে নী (Knee) ভোল্টেজের পর থেকে প্রাপ্ত তড়িৎ প্রবাহ থেকে বেশি নাট্রায়োডের দুটি টার্মিনাল থাকে+ve charge carrier এর জন্য প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহ-ve charge carrier জন্য প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহ থেকে কম নানিচের কোনটি সঠিক?
- একটি ট্রানজিস্টরের ɑ=0.98 এবং ইমিটার কারেন্ট 1.5 mA হলে কালেক্টর কারেন্ট কত ?
- কোনো p-n জাংশনে সম্মুখ ঝোঁকে II ও V এর সম্পর্ক V=ln(I2); যখন প্রবাহ 2Amp, তখন গতীয় রোধ কত?
- দীর্ঘসময় তড়িৎ প্রবাহের ক্ষেত্রে CD অংশের তড়িৎ প্রবাহ MN অংশের চেয়ে বেশি নিরাপদ। ব্যাখ্যা করো।
- একটি n-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ইলেকট্রন সংখ্যা প্রোটন সংখ্যার তুলনায়-
- একটি n-p-n অথবা p-n-p ট্রানজিস্টার গঠিত হতে কয়টি জাংশন দরকার ?
- Forward bias এর ক্ষেত্রে বিভব বাড়ালে কোনটি ঘটে?
- জেনার ডা??োড যখন বর্তনীতে ব্যবহার করা হয়, তখন সবসময় সংযোগ দেওয়া হয়-
- একটি p-n জাংশনের নিঃশেষিত অঞ্চলে থাকে-
- নিচের কোনটি তড়িৎ অর্ধপরিবাহীর (semiconductor) উদাহরণ?
- চিত্র C একটি সিলিন্ডার, যার A অংশটি ফাঁপা এবং B অংশটি পরিবাহী দ্বারা তৈরি। ফাঁপা অংশের ব্যাসার্ধ R1 ও নিরেট কন্ডাক্টর অংশের ব্যাসার্ধ R2। ২.৫(a) R1 দূরত্বে E=? (০১) (b) R1 ও R2 এর মধ্যের অংশে E=? (১.৫)
- অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান হল প্রায়-
- What one is to be added to silicon to make a p-type semiconductor?
- P-N ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকে নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল।লেখচিত্রের OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে কী বলে?
- একটি p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করতে সিলিকনের সাথে যেটি ডোপিং করতে হবে?
- p-n জংশনের সংযোগস্থলে নিঃশেষিত স্তর সৃষ্টির কারন হলো---
- চিত্র -১ এর প্রস্তুতিতে ডোপিং প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা করো।