নিচে একটি ডায়োডের V- I লেখচিত্র দেখানো হলঃ
অনেকক্ষণ ধরে বিদ্যুৎ প্রবাহের জন্য BC অংশের প্রবাহের চেয়ে MN অংশের প্রবাহ বেশি নিরাপদ ব্যাখ্যা করো।
A.
B.
C.
D.
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে?
- সম্মুখ ঝোঁক কাকে বলে?
- একটি p-n জাংশনের রোধ 40Ω।0.2V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত?(mA)
- What one is to be added to silicon to make a p-type semiconductor?
- রেকটিফায়ার কী ?
- একটি n-p-n অথবা p-n-p ট্রানজিস্টার গঠিত হতে কয়টি জাংশন দরকার ?
- ডোপিং কীভাবে অর্ধ পরিবাহীর তড়িৎ পরিবাহিতাকে প্রভাবিত করে ব্যাখ্যা কর।
- লিকেজ প্রবাহ কাকে বলে?
- pn জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- বর্তনীতে ব্যবহৃত প্রতিটি ডায়োড অভিন্ন। এদের যে কোনোটির দুইপ্রান্তে 0.6 volt বিভব পার্থক্য সৃষ্টি করায় প্রবাহ 100 mA হতে 150 mA এ পরিবর্তিত হয়। আবার ব্রীজটির সাহায্যে AC Signal কে DC Signal এ রূপান্তর করতে গিয়ে দেখা গেল D4 ডায়োডটি নষ্ট।প্রতিটি ডায়োডের গতীয় রোধ নির্ণয় কর।বর্তনীতে D4 সংযুক্ত অবস্থায় AC কে DC তে রূপান্তর সম্ভব কীনা? সচিত্র ব্যাখ্যা দাও।
- যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ড পরস্পর মিশে গেলে পদার্থটির প্রকৃতি কী?
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সাথে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল ডোপিং করে যথাক্রমে X ও Y এক্সট্রিন্সিক (বহির্জাত) অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হয়।Y - X - Y বিন্যাসে যুক্ত করে যে ডিভাইস তৈরি হয় তা দিয়ে নিম্নের কোন কার্যক্রমটি সক্ষম হয় ?
- n-type অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য যে পরমাণু দ্বারা ডোপিং করা হয় তারা-
- p-type অর্ধপরিবাহিতে অপদ্রব্য হিসেবে থাকে-
- একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1V ইভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়। এর রোধ কত?
- কোন ডায়োডটি সম্মুখী ঝোঁকে আছে?
- P-N জাংশন এ ডিপ্লেশন স্তর কিভাবে সৃষ্টি হয়?
- P - টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের বিদ্যুৎ প্রবাহের কারণ—
- ব্রীজ রেকটিফায়ারে পরিবর্তী প্রবাহ (AC) কে একমুখী (DC) করার জন্য লোডের সাথে সমান্তরাল সমবায়ে যে ধারক ব্যবহৃত হয় সেটির কাজ-
- Forward bias এর ক্ষেত্রে বিভব বাড়ালে কোনটি ঘটে?