নিচের কোনটি H2O(g) থেকে H2 কে প্রতিস্থাপন করতে পারে?
A. Co
B. Ni
C. Sn
D. Mg
qb5রসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়নতড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজ (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
D.
Mg
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- কোন ধাতুর প্রলেপ দিলে লোহাতে মরিচা ধরে না?
- Which is an electric cell having active apparatus?
- সক্রিয়তা সিরিজ অনুযায়ী কোনটি অধিক সক্রিয় ধাতু?
- Zn2+|Zn|(-0.76V) এবং Fe2+|Fe|(-0.41V) তড়িদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত গ্যালভানিক কোষের emf হবে-
- রসায়ন ল্যাবে প্রদর্শক মহোদয় নিকেল লবণের একটি দ্রবণ তামার পাত্রে সংরক্ষণ করতে বললে ল্যাব সহকারী ভুল করে তা একটি দস্তার পাত্রে রেখে দিলেন। নিকেল ও দস্তার জারণ বিভব যথাক্রমে +0.25 এবং +0.76 Vউদ্দীপকে উল্লিখিত তড়িৎ বিশ্লেষ্যটি দীর্ঘদিন জিংক- এর পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কী? e.m.f এর মাধ্যমে বিশ্লেষণ করো।
- স্টিম থেকে H2 কে প্রতিস্থাপন করতে পারে কোনটি?
- লোহার পাত্রে নিচের কোন দ্রবণ রাখা যাবে না?
- নিচের কোনটি সঠিক?
- কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে?
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উদ্দীপক কোষটির সেল বিভবের মান-
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হয়?
- জিংক সালফেটের দ্রবণে নিচের কোনটি যোগ করলে কঠিন জিংক পাওয়া যাবে?
- e.m.f কাকে বলে?
- EoCu/Cu2+= -0.34 V এবং E°Fe/Fe2+=+0.44V হলে- E°cell =+0.78V Cu এর পাত্রে FeSO4 দ্রবণ রাখা যাবেCu দ্বারা জারণ-বিজারণ অর্ধকোষ তৈরি সম্ভব নয়নিচের কোনটি সঠিক?
- লোহায় মরিচা দূরীকরণের ক্ষেত্রে Electroplating এ কোন ধাতু ব্যবহৃত হয়?
- কপার ও জিঙ্কের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে +0.34V ও –0.76V হলে-কপার জিঙ্কের চেয়ে শক্তিশালী জারকCuSO4 দ্রবণে Zn যোগ করলে Cu অধঃক্ষিপ্ত হয়কোষে জিঙ্ক অ্যানোড হয়নিচের কোনটি সঠিক?
- নিচের কোনটি সবচেয়ে কম সক্রিয় ধাতু?
- কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে ?
- নিচের কোনটি কম বিক্রিয়াশীল ধাতু?