স্বাভাবিক তাপমাত্রায় p টাইপ অর্ধ পরিবাহীর আধান বাহক কোনটি?
A. শুধুমাত্র হোল
B. শুধুমাত্র ইলেকট্রন
C. ধনাত্মক আধান
D. হোল ও ইলেকট্রন
qb5পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
শুধুমাত্র হোল
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- অ্যামপ্লিফায়ারের ভোল্টেজ গেইন পেতে হলে-
- উদ্দীপকে Ge ডায়োড কে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা
- একটি p-n জাংশনের গতীয় রোধ 40 Ω। এর বিভব পার্থক্য 0.2 V পরিবর্তন করলে আনুষাঙ্গিক তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- R=23.4Ω হলে এর মধ্যে দিয়ে তড়িৎ প্রবাহ নির্ণয় কর। ২.৫
- What will be the equivalent capacitance of the series combination of two capacitors of 12 μF and 24 μF?
- সাধারণ পীঠ সংযােগ থাকা ট্রানজিস্টরের নিঃসারক প্রবাহ 0.85 mA এবং পীঠ প্রবাহ 0.05 mA। প্রবাহ বিবর্ধন গুণক কত হবে?
- বিমুখী বায়াস প্রদান করা হয় কোন জাংশনে?
- p-type অর্ধপরিবাহিতে অপদ্রব্য হিসেবে থাকে-
- n- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য যে পরমানুর দ্বারা ডোপায়ন করা হয় তারা -
- p- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- সাধারণত ডায়োডে ভোল্টেজের মান কত রাখা হয়?
- লেখচিত্র হতে সম্মুখী ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁকের রোধের মান নির্ণয় করে তুলনা করো।
- পূর্ণতরঙ্গ ব্রিজ রেকটিফায়ারে চারটি ডায়োড ব্যবহার করা হয় কেন? ব্যাখ্যা কর।
- p-n জাংশনের সংযোগ স্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- n-type অর্ধ-পরিবাহী তৈরীতে প্রয়োজনীয় অপদ্রব্যটি হতে হবে-
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- যদি ত্রিযোজী মৌল সিলিকনের মধ্যে ডোপিং করা হয়, তাহলে সিলিকনের পরিবাহিতার কি ধরণের পরিবর্তন হবে?
- একটি ট্রানজিস্টরের কয়টি p-n জাংশন রয়েছে?
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- দ্বি- পোলার NPN জাংশন ট্রানজিস্টর কাজ করার জন্য নিঃসারকের সাপেক্ষে বিভিন্ন তড়িৎদ্বারের পোলারিটি –