An+ (aq) + B(s) ⟶ A(s) + Bn+ (aq); এই কোষ বিক্রিয়ার আলোকে নার্নস্ট সমীকরণ কোনটি?
A.
E_(cell)=E_(cell)^o-(RT)/(nF)ln(([A^(n+)])/([B^(n+)]))
B.
E_(cell)=E_(cell)^o-(RT)/(nF)ln(([B^(n+)])/([A^(n+)]))
C.
E_(cell)=E_(cell)^o-(2.303RT)/(F)log(([A^(n+)])/([B^(n+)]))
D.
E_(cell)=E_(cell)^o-(2.303RT)/(F)log(([B^(n+)])/([A^(n+)]))
সঠিক উত্তরঃ
B.
E_(cell)=E_(cell)^o-(RT)/(nF)ln(([B^(n+)])/([A^(n+)]))
Explanation:

Another Explanation (5):
আদর্শ অবস্থায় \( A^{n+}(aq) + B(s) \longrightarrow A(s) + B^{n+}(aq) \) কোষ বিক্রিয়ার নার্নস্ট সমীকরণটি হলো:
\( E_{cell} = E_{cell}^o - \frac{RT}{nF} \ln \frac{[B^{n+}]}{[A^{n+}]} \)
এখানে,
* \( E_{cell} \) = কোষ বিভব
* \( E_{cell}^o \) = প্রমাণ কোষ বিভব
* \( R \) = গ্যাস ধ্রুবক (8.314 J/mol⋅K)
* \( T \) = তাপমাত্রা (কেলভিন এককে)
* \( n \) = স্থানান্তরিত ইলেকট্রনের সংখ্যা
* \( F \) = ফ্যারাডে ধ্রুবক (96485 C/mol)
* \( [B^{n+}] \) = \( B^{n+} \) এর মোলার ঘনমাত্রা
* \( [A^{n+}] \) = \( A^{n+} \) এর মোলার ঘনমাত্রা
📏সংজ্ঞা: নার্নস্ট সমীকরণ ব্যবহার করে প্রমাণ অবস্থায় নেই এমন কোষের তড়িৎবিভব নির্ণয় করা যায়।🧪
Related Questions (Any University/Year)
- তড়িৎদ্বার বিভবের উৎসের ব্যাপারে কোন বিজ্ঞানী তত্ত্ব উপস্থাপন করেন?
- 25°C তাপমাত্রায় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান নির্ণয় কর। Ni(s)/Ni2+(0.1M)||Ag+ (0.1M)/Ag(s); দেওয়া আছে,E_(Ni^(2+)"/"Ni)^0=0.25V,E_(Ag^(+)"/"Ag)^0=+0.8V
- 42°C তাপমাত্রায় Sn | SnCl2 (0.70M) অর্ধকোষটির কোষ বিভব (emf) কত হবে? এখানে E°Sn/Sn++= 0.14 volt]
- দেওয়া আছে, Eox2+/x= -0.44 V, Eo y2+/y= +0.34 Vউদ্দীপকের কোষটির মোট বিভব গণনা কর।
- Zn/Zn2+(0.03M)||Cu²+ (0.02M)/Cu কোষের কোষ বিক্রিয়ার ফলে 75°C ও 35°C তাপমাত্রায় মুক্ত শক্তির পরিবর্তনের পার্থক্য নির্ণয় কর। [Zn2+/Zn বিভব = 0.76V, Cu2+/Cu বিভব = 0.34V (প্রমাণ অবস্থায়)]
- রসায়ন ল্যাবরেটরিতে তড়িৎ বিশ্লেষণ করার জন্য Ni লবণের দ্রবণ রাখা হলো:25°C তাপমাত্রায় কোষটি-Ni(s)/Ni2+||Ag/Ag(s)E0[Ni2+/Ni]= -0.25VE0[Ags/Ag]= +0.80Vউদ্দীপকের সেলটির সেল বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটে কিনা দেখাও। (দেওয়া আছে Ni3+ এবং Ag+আয়নদ্বয়ের ঘনমাত্রা যথাক্রমে 0.1 M এবং 0.2 M)
- A এর জারণ বিভব+ 1.66 V, A এর জারণ মান +3B এর জারণ বিভব + 0.76 V, B এর জারণ মান =+2C এর জারণ বিভব -0.80 V, C এর জারণ মান = +1A/A3+ (0.15 M) || B2+ (0.02 M)/B; 27°C তাপমাত্রায় কোষটির তড়িচ্চালক বল (emf) কত?
- pH মিটারে কোন সমীকরণ ভিত্তিক "Concentration cell" এর মূলনীতি কার্যকর রয়েছে?
- Fe/Fe++(0.13 M) || Ag+(0.0004 M)| Ag T=25°C, EoFe++/Fe =-0.44V EoAg+/Ag =+0.80Vউদ্দীপকের কোষের তড়িৎচালক বল নির্ণয় করো।
- নিচের তথ্যগুলো লক্ষ কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও: E°M2+/M= 0.34 V (i) E°A3+/A = 0.77 V (ii) E°B-/B= 0.54 Vউদ্দীপকের M2+আয়নের ঘনমাত্রা কত হলে তড়িৎদ্বারের বিজারণ বিভ??? শূন্য হবে?
- 298 K তাপমাত্রায় নিম্নোক্ত তড়িৎ রাসায়নিক কোষের জন্য, x এর মান নির্ণয় কর। Pt(s)|H2(g)(1 bar)|H+(aq) (1M) | |M4+ (aq), M²+(aq) | Pt(s)[ EoM4+/M2+=0.151 V;Ecell=0.092 V , [M^(2+)/M^(4+)]=10^x
- Al(s), Al3+(aq) || Sn2+ (aq), Sn(s)E০Al3+/Al = 1.66(V) এবং E০Sn2+/Sn = -0.14(V)Sn2+ এর ঘনমাত্রা 0.15M এবং Al3+ এর ঘনমাত্রা 0.25M হলে কোষটির তড়িচ্চালক বল নির্ণয় করো।
- pH মিটারে H₂SO₄ এসিডের দ্রবণ নেয়া হলে 25°C তাপমাত্রায় মিটারে EMF পাওয়া যায় 0.33 Volt। দ্রবণে এসিডের ঘনমাত্রা নির্ণয় কর। [নির্দেশক তড়িৎদ্বারে বিজারণ বিভব +0.28 Volt]
- 25°C তাপমাত্রায় Zn(s)/Zn²+(1.00×10-5 M)||Ag+(0.10 M)/Ag(s) কোষে E0Zn(red) = -0.76 V এবং E0Ag(red) = 0.80 Vপ্রদত্ত কোষের জন্য কোনটি সঠিক নয়?
- 25°C তাপমাত্রায় উদ্দীপকের তড়িৎদ্বারটির বিভব নির্ণয় কর।
- 30°C তাপমাত্রায় নিচের কোষের e.m.f কত? [Pb/Pb2+(1M)।। H+(0.4M) /H2(1atm) pt, E0 = 0.14V]
- যদি Ni(s)|Ni2+ (0.01M)||Cu2+ (0.1M)|Cu(s) সেলের সেল বিভব 0.59V হয়, তাহলে Ni2+|Ni(s) তড়িৎদ্বারের প্রমান তড়িৎদ্বার বিভব কত হবে? দেওয়া আছে Cu2+|Cu(s)= 0.34 V.
- দ্রবণে ধাতব আয়ন বৃদ্ধির সঙ্গে সঙ্গে তার অসমোটিক চাপ কী হয়?
- 25°C তাপমাত্রায় একটি H₂ গ্যাস তড়িৎদ্বারের জারণ বিভব 0.003 V। তড়িৎদ্বারে ব্যবহৃত এসিডের ঘনমাত্রা কত, যদি H₂SO₄ ব্যবহৃত হয়?
- Zn(s)+Ni2+(aq) (0.1 M)→ Zn2+ (aq)(0.1 M)+Ni(s)Zn এর প্রমাণ জারণ বিভব = 0.76 V এবং Eocell=0.51 V25°C তাপমাত্রায় Ni2+(aq)(0.1M)→ Ni(s) এর অর্ধকোষ বিভব নির্ণয় কর।