আপনার প্রতিষ্ঠানের লোগো সহ ডাউনলোড করতে প্রথমে লগইন করুন!
100%

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

300

  1. P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
  2. Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
  3. R2+(aq)/R(s) = +0.44V

উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন