আপনার প্রতিষ্ঠানের লোগো সহ ডাউনলোড করতে প্রথমে লগইন করুন!
100%

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

প্রশ্ন-১২৮একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়।  ইহার রোধ -- 

0.25 ohm

0.3 ohm

0.15 ohm 

0.35 ohm 

Onushiloni MCQ HSCIshaqueপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স