আপনার প্রতিষ্ঠানের লোগো সহ ডাউনলোড করতে প্রথমে লগইন করুন!
100%

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন

CuS ও NiS এর দ্রাব্যতা গুণফল যথাক্রমে  4 ×10-38  ও 1.5× 10-24   একজন ছাত্র Cu2+ও Ni2+ এর মিশ্র দ্রবণ থেকে একটি আয়নকে অধঃক্ষেপণ দ্বারা পৃথক করতে উক্ত মিশ্র দ্রবণে লঘু HCI যোগ করার পর  H2S গ্যাস চালনা করল।

 আয়ন পৃথকীকরণে উদ্দীপকের ছাত্রটি দ্বারা অনুসৃত নীতিটি পর্যালোচনা কর। 

দ্রাব্যতা, দ্রাব্যতা গুনফল, আয়নিক গুনফল ও অধঃক্ষেপরসায়ন প্রথম পত্রগুণগত রসায়ন