আপনার প্রতিষ্ঠানের লোগো সহ ডাউনলোড করতে প্রথমে লগইন করুন!
100%

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.

উদ্দীপকে Ge  ডায়োডটিকে  উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -

কমবে

সসীম সীমায় বাড়বে

অসীম হবে

শূন্য হবে

এন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োডপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স