আপনার প্রতিষ্ঠানের লোগো সহ ডাউনলোড করতে প্রথমে লগইন করুন!
×
লগইন করুন
100%
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।