আপনার প্রতিষ্ঠানের লোগো সহ ডাউনলোড করতে প্রথমে লগইন করুন!
100%

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন

A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88V

B ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35V

তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হবে—

A ধাতু ক্যাথোড হিসেবে ব্যবহৃত হয়

A ধাতু B অপেক্ষা অধিক সক্রিয়

কোষটির ডায়াগ্রাম হবে B/B2+ ∣∣ A2+/A

কোষটির বিভব 0.53V

তড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়ন